一、MOS管平方關(guān)系模型
MOS管溝道飽和區(qū)電流ID（不考慮非理想效應(yīng))
二、如何進(jìn)行仿真得到手算參數(shù)
首先在原理圖中放上器件，以NMOS為例子，同時(shí)分別設(shè)置好NMOS溝道長(zhǎng)度和寬度，還有將對(duì)應(yīng)器件電壓也設(shè)置成變量，設(shè)成變量方面后面仿真條件下修改參數(shù)。
關(guān)注的參數(shù)
需要關(guān)注的參數(shù)是beff和betaeff，其中beff就是平方率關(guān)系對(duì)應(yīng)的理想?yún)?shù)（完全不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)等，是可以計(jì)算過(guò)后發(fā)現(xiàn)，用得到的閾值電壓還有Id算出來(lái)完全符合平方率關(guān)系對(duì)應(yīng)的理想值），betaeff是修正的跨導(dǎo)模型參數(shù)，畢竟現(xiàn)在模型不是以前的那種簡(jiǎn)單模型了。
MOS管溝道飽和區(qū)電流ID
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